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原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究

张军 谢二庆 付玉军 李晖 邵乐喜

物理学报2007,Vol.56Issue(8):4914-4919,6.
物理学报2007,Vol.56Issue(8):4914-4919,6.

原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究

Preparation of P-type ZnO thin films by in situ oxidation of Zn3N2

张军 1谢二庆 2付玉军 1李晖 1邵乐喜1

作者信息

  • 1. 兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
  • 2. 湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江,524048
  • 折叠

摘要

关键词

p型ZnO薄膜/Zn3N2薄膜/射频溅射/原位氧化

分类

数理科学

引用本文复制引用

张军,谢二庆,付玉军,李晖,邵乐喜..原位氧化Zn3N2制备P型ZnO薄膜的性能研究[J].物理学报,2007,56(8):4914-4919,6.

基金项目

广东省自然科学基金(批准号:31927)和广东省教育厅自然科学研究计划(批准号:2006112)资助的课题. (批准号:31927)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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