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半导体学报
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InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
卢励吾
封松林
周洁
杨国文
徐俊英
郭春伟
半导体学报
Issue(7)：493,1.
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半导体学报
Issue(7)
：493,1.
InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为
卢励吾
1
封松林
2
周洁
3
杨国文
3
徐俊英
3
郭春伟
3
作者信息
1.
半民体超晶格国家重点实验室
2.
集成光电子学联合实验室半导体所实验区
折叠
摘要
关键词
InGaAs
/
砷化镓
/
量子阱激光器
/
激光器
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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卢励吾,封松林,周洁,杨国文,徐俊英,郭春伟..InGaAs/GaAs应变层量子阱激光器深中心行为[J].半导体学报,1996,(7):493,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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