物理学报2009，Vol.58Issue(1)：494-497,4.
SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压
The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET
摘要
关键词
碳化硅/肖特基接触/阈值电压分类
数理科学引用本文复制引用
汤晓燕,张义门,张玉明..SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压[J].物理学报,2009,58(1):494-497,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60476007)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2002CB311904)资助的课题. （批准号:60476007）
