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应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军

物理学报2009，Vol.58Issue(7)：4948-4952,5.
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物理学报2009，Vol.58Issue(7)：4948-4952,5.

应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

Threshold voltage model of strained Si channel nMOSFET

张志锋 1张鹤鸣 1胡辉勇 1宣荣喜 1宋建军1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
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摘要

关键词

应变硅/阈值电压/电势分布/反型层

分类

数理科学

引用本文复制引用

张志锋,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,宋建军..应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型[J].物理学报,2009,58(7):4948-4952,5.

基金项目

国家部委预研基金(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,9140C0905040706)资助的课题. （批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,9140C0905040706）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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