|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|氮离子注入形成 Si3N4 埋层构成的 SiO2/Si/Si3N4/Si 多层结构的研究

氮离子注入形成 Si3N4 埋层构成的 SiO2/Si/Si3N4/Si 多层结构的研究

陈晖 贺晓泉 张继盛 李志坚

半导体学报Issue(5)：495,1.
✕
半导体学报Issue(5)：495,1.

氮离子注入形成 Si3N4 埋层构成的 SiO2/Si/Si3N4/Si 多层结构的研究

陈晖 1贺晓泉 1张继盛 1李志坚1

作者信息

  • 折叠

摘要

引用本文复制引用

陈晖,贺晓泉,张继盛,李志坚..氮离子注入形成 Si3N4 埋层构成的 SiO2/Si/Si3N4/Si 多层结构的研究[J].半导体学报,1987,(5):495,1.

半导体学报

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文