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基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

张栌丹 王明文 刘世香 张飞飞 李文军

北京科技大学学报2008,Vol.30Issue(1):49-52,4.
北京科技大学学报2008,Vol.30Issue(1):49-52,4.

基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响

Effect of host-doping ions on the afterglow property of (Y, Rn)2O2S:Sm3+, Ti4 +, Mg2+ (Rn = La, Gd, Lu, Ga, Al) red phosphors

张栌丹 1王明文 1刘世香 1张飞飞 1李文军1

作者信息

  • 1. 北京科技大学应用科学学院,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

红色长余辉材料/基质掺杂/离子半径/余辉时间

分类

电子信息工程

引用本文复制引用

张栌丹,王明文,刘世香,张飞飞,李文军..基质掺杂离子对(Y,Rn)2O2S:Sm3+,Ti4+,Mg2+(Rn=La,Gd,Lu,Ga,Al)红色长余辉材料余辉性能的影响[J].北京科技大学学报,2008,30(1):49-52,4.

基金项目

北京科技大学校基金资助项目(No.00009003) (No.00009003)

北京科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

2095-9389

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