半导体学报2003，Vol.24Issue(1)：49-53,5.
大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响
Effects of Nitrogen on Grown-in Oxygen Precipitates in Large Diameter Czochralski Silicon
摘要
关键词
掺氮/直拉硅/原生氧沉淀分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
余学功,杨德仁,杨建松,马向阳,李立本,阙端麟..大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响[J].半导体学报,2003,24(1):49-53,5.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:50032010) （批准号:50032010）
