电子器件2005，Vol.28Issue(3)：497-499,504,4.
GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究
Study of 1/f Noise in GaAlAs IREDs
摘要
关键词
1/f噪声/红外发光二极管/涨落/氧化层陷阱分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
包军林,庄奕琪,杜磊,马仲发,李伟华,万长兴..GaAlAs红外发光二极管1/f噪声研究[J].电子器件,2005,28(3):497-499,504,4.基金项目
国家自然科学基金资助(60276028) （60276028）
国防预研基金资助(51411040601DZ014) （51411040601DZ014）
国防科技重点实验室基金资助(51433030103DZ01) （51433030103DZ01）
