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Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究

刘学超 韦世强 陈之战 施尔畏 严成锋 黄维 宋力昕 周克瑾 崔明启 贺博

物理学报2009，Vol.58Issue(1)：498-504,7.
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物理学报2009，Vol.58Issue(1)：498-504,7.

Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究

The local structure and charge transfer properties of Co-doped ZnO thin films

刘学超 1韦世强 2陈之战 3施尔畏 1严成锋 1黄维 1宋力昕 1周克瑾 2崔明启 1贺博4

作者信息

  • 1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100049
  • 3. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥,230029
  • 4. 中国科学院高能物理研究所,北京,100049
  • 折叠

摘要

关键词

Co掺杂ZnO/稀磁半导体/x射线吸收精细结构/共振非弹性X射线散射

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘学超,韦世强,陈之战,施尔畏,严成锋,黄维,宋力昕,周克瑾,崔明启,贺博..Co掺杂ZnO薄膜的局域结构和电荷转移特性研究[J].物理学报,2009,58(1):498-504,7.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:50702071和50772122)和教育部创新计划同步辐射研究生创新基金(批准号:20080111S)资助的课题. （批准号:50702071和50772122）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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