| 注册
首页|期刊导航|液晶与显示|反铁电体电子发射性能的研究

反铁电体电子发射性能的研究

蔡雪梅 周应华

液晶与显示2009,Vol.24Issue(4):502-506,5.
液晶与显示2009,Vol.24Issue(4):502-506,5.

反铁电体电子发射性能的研究

Electron Emission Properties of Antiferroelectrics

蔡雪梅 1周应华2

作者信息

  • 1. 重庆邮电大学,光电学院,四川,重庆,400065
  • 2. 重庆邮电大学,计算机学院,四川,重庆,400065
  • 折叠

摘要

关键词

反铁电体阴极/抽取电压/绝缘保护/相变/发射起始阈值

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡雪梅,周应华..反铁电体电子发射性能的研究[J].液晶与显示,2009,24(4):502-506,5.

基金项目

重庆市自然科学基金(No.CSTC2008BB4408) (No.CSTC2008BB4408)

液晶与显示

OA北大核心CSCDCSTPCD

1007-2780

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文