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GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

方文卿 李述体 刘和初 江风益

发光学报2004，Vol.25Issue(5)：505-509,5.
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发光学报2004，Vol.25Issue(5)：505-509,5.

GaN外延片中载流子浓度的纵向分布

Silicon Diffusion Coefficient in GaN Epilayer and the Crystal Quality Told by ECV

方文卿 1李述体 2刘和初 1江风益2

作者信息

  • 1. 南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330047
  • 2. 江西方大福科信息材料有限公司,江西,南昌,330029
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摘要

关键词

硅扩散/氮化镓/电化学电容电压

分类

数理科学

引用本文复制引用

方文卿,李述体,刘和初,江风益..GaN外延片中载流子浓度的纵向分布[J].发光学报,2004,25(5):505-509,5.

基金项目

国家高技术研究发展"863"专项基金资助项目(2003AA302160) （2003AA302160）

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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