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GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光

屈玉华 江德生 边历峰 孙征 牛智川 徐晓华

发光学报2005,Vol.26Issue(4):507-512,6.
发光学报2005,Vol.26Issue(4):507-512,6.

GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光

Photoluminescence of GaAsSb/GaInAs Bilayer Quantum Wells Grown on GaAs Substrate

屈玉华 1江德生 1边历峰 1孙征 1牛智川 1徐晓华1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

量子阱/光致发光/GaAsSb/GaInAs

分类

数理科学

引用本文复制引用

屈玉华,江德生,边历峰,孙征,牛智川,徐晓华..GaAs基GaAsSb/GaInAs双层量子阱的发光[J].发光学报,2005,26(4):507-512,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(60276003) (60276003)

发光学报

OA北大核心CSCD

1000-7032

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