|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究

高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究

谷文萍 郝跃 张进城 王冲 冯倩 马晓华

物理学报2009，Vol.58Issue(1)：511-517,7.
✕
物理学报2009，Vol.58Issue(1)：511-517,7.

高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究

Degradation under high-field stress and gate stress of AlGaN/GaN HEMTs

谷文萍 1郝跃 2张进城 1王冲 2冯倩 1马晓华2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071
  • 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN/HEMT器件/表面态(虚栅)/势垒层陷阱/应力

分类

数理科学

引用本文复制引用

谷文萍,郝跃,张进城,王冲,冯倩,马晓华..高场应力及栅应力下AlGaN/GaN HEMT器件退化研究[J].物理学报,2009,58(1):511-517,7.

基金项目

国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033),973计划项目(批准号:513270407)和预先研究项目(批准号:51311050112,51308030102,51308040301)资助的课题. （批准号:60736033）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量3
|
下载量0
段落导航相关论文