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RF溅射制备Ta2O5薄膜及其电学性能的研究

曹莹 丁文 毛海平 周勇

真空电子技术Issue(5)：51-54,4.
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真空电子技术Issue(5)：51-54,4.

RF溅射制备Ta2O5薄膜及其电学性能的研究

Study of RF Sputtered Tantalum Pentoxide Layers and its Electrical Properties

曹莹 1丁文 1毛海平 1周勇1

作者信息

  • 1. 薄膜与微细技术教育部重点实验室,微米/纳米加工技术国家级重点实验室,上海交通大学微纳科学技术研究院,上海,200030
  • 折叠

摘要

关键词

高介电常数薄膜/Ta2O5/电学性能/漏电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

曹莹,丁文,毛海平,周勇..RF溅射制备Ta2O5薄膜及其电学性能的研究[J].真空电子技术,2005,(5):51-54,4.

基金项目

国防重点实验室资助项目(51485020JW301) （51485020JW301）

真空电子技术

1002-8935

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