半导体学报2003，Vol.24Issue(5)：516-519,4.
Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性
Characteristics of ONO in Flash Memory Device
摘要
关键词
快闪存储器/ONO介质层/漏电/临界电场强度分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
欧文,李明,钱鹤..Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性[J].半导体学报,2003,24(5):516-519,4.基金项目
国家重点基础研究专项经费(批准号:G20000365)和国家自然科学基金(批准号:60276023)资助项目 （批准号:G20000365）
