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薄膜全耗尽SIMOX/SOI MOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

程玉华 魏丽琼 孙玉秀 阎桂珍 李映雪 武国英 王阳元

半导体学报Issue(7)：517,1.
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半导体学报Issue(7)：517,1.

薄膜全耗尽SIMOX/SOI MOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究

程玉华 1魏丽琼 1孙玉秀 1阎桂珍 1李映雪 1武国英 1王阳元1

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程玉华,魏丽琼,孙玉秀,阎桂珍,李映雪,武国英,王阳元..薄膜全耗尽SIMOX/SOI MOSFET中单晶体管Latch引起的器件性能蜕变实验研究[J].半导体学报,1995,(7):517,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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