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掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究

唐斌 邓宏 税正伟 韦敏 陈金菊 郝昕

物理学报2007，Vol.56Issue(9)：5176-5179,4.
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物理学报2007，Vol.56Issue(9)：5176-5179,4.

掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究

Room-temperature optical properties of Al-doped ZnO nanowire array

唐斌 1邓宏 2税正伟 2韦敏 1陈金菊 2郝昕2

作者信息

  • 1. 西南石油大学理学院,成都,610500
  • 2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
  • 折叠

摘要

关键词

光致发光/化学气相沉积(CVD)/激子/ZnO纳米线阵列

分类

数理科学

引用本文复制引用

唐斌,邓宏,税正伟,韦敏,陈金菊,郝昕..掺AlZnO纳米线阵列的光致发光特性研究[J].物理学报,2007,56(9):5176-5179,4.

基金项目

国家自然科学基金重大项目(批准号:60390073),四川省应用基础研究项目(批准号:JY0290681),预研基金(批准号:ZJ0508)资助的课题. （批准号:60390073）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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