物理学报2008，Vol.57Issue(8)：5176-5181,6.
衬底温度和硼掺杂对P型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响
Substrate temperature and B-doping effects on microstructure and electronic properties of p-type hydrogenated microcrystalline silicon films
摘要
关键词
p型氢化微晶硅薄膜/衬底温度/晶化率/电导率分类
数理科学引用本文复制引用
杨仕娥,文黎巍,陈永生,汪昌州,谷锦华,郜小勇,卢景霄..衬底温度和硼掺杂对P型氢化微晶硅薄膜结构和电学特性的影响[J].物理学报,2008,57(8):5176-5181,6.基金项目
国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB202601)和河南省自然科学基金(批准号:072300410080)资助的课题. （批准号:2006CB202601）
