物理学报2008，Vol.57Issue(8)：5205-5211,7.
基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型
Radiation degradation model of metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on pre-irradiation 1/f noise
摘要
关键词
1/f噪声/辐照/金属一氧化物/半导体场效应晶体管/陷阱分类
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彭绍泉,杜磊,庄奕琪,包军林,何亮,陈伟华..基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型[J].物理学报,2008,57(8):5205-5211,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题. （批准号:60276028）
