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半导体学报
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Si3N4绝缘栅中两种表面基对 pH-ISFET 器件敏感特性的影响
Si3N4绝缘栅中两种表面基对 pH-ISFET 器件敏感特性的影响
牛蒙年
丁辛芳
童勤义
半导体学报
Issue(7)：522,1.
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半导体学报
Issue(7)
：522,1.
Si3N4绝缘栅中两种表面基对 pH-ISFET 器件敏感特性的影响
牛蒙年
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丁辛芳
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牛蒙年,丁辛芳,童勤义..Si3N4绝缘栅中两种表面基对 pH-ISFET 器件敏感特性的影响[J].半导体学报,1996,(7):522,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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