低应力PECVD氮化硅薄膜的制备OACSTPCD
Low Stress Silicon Nitride Thin Film Deposition by PECVD
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)工艺中射频条件(功率和频率)对氮化硅薄膜应力的影响.对于不同射频条件下薄膜的测试结果表明:低频(LF)时氮化硅薄膜处于压应力,高频(HF)时处于张应力,且相同功率时低频的沉积速率和应力分别为高频时的两倍左右;在此基础上采用不同高低频时间比的混频工艺实现了对氮化硅薄膜应力的调控,且在高低频时间比为5:1时获得了应力仅为10 MVa的极低应力氮化硅薄膜.
亢喆;黎威志;袁凯;蒋亚东
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
信息技术与安全科学
PECVD射频混频氮化硅应力
《电子器件》 2009 (3)
522-525,4
电子科技大学青年科技基金资助(jx0838)
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