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物理学报
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a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论
a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论
陈光华
彭应全
陈继红
物理学报
Issue(4)：524-528,5.
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物理学报
Issue(4)
：524-528,5.
a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论
陈光华
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彭应全
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陈光华,彭应全,陈继红..a-Si:H中杂质和缺陷态的电子统计理论[J].物理学报,1987,(4):524-528,5.
物理学报
ISSN：
1000-3290
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