半导体学报2007，Vol.28Issue(1)：52-55,4.
直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长
Dissolution at High Temperature and Re-Growth of Oxygen Precipitation in Czochralski Silicon Wafer
摘要
关键词
直拉单晶硅/氧沉淀/消融/再生长分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
符黎明,杨德仁,马向阳,郭杨,阙端麟..直拉单晶硅中氧沉淀的高温消融和再生长[J].半导体学报,2007,28(1):52-55,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60390073),四川省应用基础研究(批准号:JY0290681)和预研基金(批准号:ZJ0508)资助项目 （批准号:60390073）
