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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究

王鹏 卜皎 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲

电子器件2009，Vol.32Issue(3)：526-528,3.
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电子器件2009，Vol.32Issue(3)：526-528,3.

HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究

Mechanism of Plasma Charging Damage for HDP Deposition

王鹏 1卜皎 2刘玉伟 2曹刚 2石艳玲 1刘春玲 2李菲 2孙玲玲2

作者信息

  • 1. 华东师范大学信息科学技术学院电子系,上海,200062
  • 2. 上海华虹NEC电子有限公司,上海,201206
  • 折叠

摘要

关键词

等离子体充电损伤/高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD)/栅氧化膜/光电导

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王鹏,卜皎,刘玉伟,曹刚,石艳玲,刘春玲,李菲,孙玲玲..HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究[J].电子器件,2009,32(3):526-528,3.

基金项目

国家自然科学基金资助(60676047,60606010) （60676047,60606010）

上海市科委资助(075007033,08706200802) （075007033,08706200802）

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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