|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

陆敏 方慧智 黎子兰 陆曙 杨华 章蓓 张国义

半导体学报2004，Vol.25Issue(5)：526-529,4.
✕
半导体学报2004，Vol.25Issue(5)：526-529,4.

多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响

Multi-Buffer Layers Effect on Characteristic of GaN Grown by MOCVD

陆敏 1方慧智 1黎子兰 1陆曙 1杨华 1章蓓 1张国义1

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

MOCVD/GaN/缓冲层

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陆敏,方慧智,黎子兰,陆曙,杨华,章蓓,张国义..多缓冲层对MOCVD生长的GaN性能的影响[J].半导体学报,2004,25(5):526-529,4.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:60077022,60276034),国家科技部863项目(863-2001AA313110,2001AA313060和2001AA313140)以及集成光电国家重点实验室开放项目资助 （批准号:60077022,60276034）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文