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Ⅱ-Ⅵ 族化合物 (Hg1-xCdxTe) 非晶薄膜的半导体性质

曹宝成 刘明 戴国才

半导体学报Issue(7):527,1.
半导体学报Issue(7):527,1.

Ⅱ-Ⅵ 族化合物 (Hg1-xCdxTe) 非晶薄膜的半导体性质

曹宝成 1刘明 1戴国才1

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曹宝成,刘明,戴国才..Ⅱ-Ⅵ 族化合物 (Hg1-xCdxTe) 非晶薄膜的半导体性质[J].半导体学报,1990,(7):527,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

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