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SiH4和GeH4生长SiGe合金的CVD反应研究

顾书林 王荣华 张荣 韩平 郑有炓

半导体学报Issue(7)：528,1.
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半导体学报Issue(7)：528,1.

SiH4和GeH4生长SiGe合金的CVD反应研究

顾书林 1王荣华 1张荣 1韩平 1郑有炓1

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摘要

关键词

半导体材料/硅锗合金/SiH4/GeH4/CVD

分类

信息技术与安全科学

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顾书林,王荣华,张荣,韩平,郑有炓..SiH4和GeH4生长SiGe合金的CVD反应研究[J].半导体学报,1995,(7):528,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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