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基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件

刘道广 徐婉静 李荣强 陈光炳 徐学良 郝跃 徐世六 李开成 刘玉奎 何开全 刘嵘侃 张静 刘伦才

半导体学报2005，Vol.26Issue(3)：528-531,4.
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半导体学报2005，Vol.26Issue(3)：528-531,4.

基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件

SiGe HBT with fmax of 157GHz Based on MBE

刘道广 1徐婉静 2李荣强 3陈光炳 2徐学良 3郝跃 2徐世六 3李开成 2刘玉奎 3何开全 2刘嵘侃 3张静 1刘伦才2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所,西安 710071
  • 2. 中国电子科技集团电子24所,重庆,400060
  • 3. 国家模拟集成电路重点实验室,重庆,400060
  • 折叠

摘要

关键词

自对准/空气桥/SiGe合金材料

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘道广,徐婉静,李荣强,陈光炳,徐学良,郝跃,徐世六,李开成,刘玉奎,何开全,刘嵘侃,张静,刘伦才..基于MBE的fmax为157GHz的SiGeHBT器件[J].半导体学报,2005,26(3):528-531,4.

基金项目

国防预研基金资助项目(批准号:99JS09.2.2.DZ3401) （批准号:99JS09.2.2.DZ3401）

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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