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半导体学报
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氮化镓缓冲层生长过程分析
氮化镓缓冲层生长过程分析
刘祥林
汪连山
陆大成
王晓晖
汪度
林兰英
半导体学报
Issue(7)：529-533,5.
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半导体学报
Issue(7)
：529-533,5.
氮化镓缓冲层生长过程分析
刘祥林
1
汪连山
1
陆大成
2
王晓晖
2
汪度
2
林兰英
2
作者信息
1.
中国科学院半导体材料科学实验室
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摘要
关键词
氮化镓
/
缓冲层生长
/
生长过程
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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刘祥林,汪连山,陆大成,王晓晖,汪度,林兰英..氮化镓缓冲层生长过程分析[J].半导体学报,1999,(7):529-533,5.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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