发光学报2009，Vol.30Issue(4)：529-534,6.
压力下GaN/Ga1-xAlxN量子点中杂质态的界面效应
Interface Effect on the Impurity State in a GaN/Ga1-xAlxN Quantum Dot under Pressure
摘要
关键词
量子点/结合能/电子面密度/压力分类
数理科学引用本文复制引用
张敏,闫祖威..压力下GaN/Ga1-xAlxN量子点中杂质态的界面效应[J].发光学报,2009,30(4):529-534,6.基金项目
国家自然科学基金(10564003) （10564003）
教育部科学技术研究重点项目(208025) （208025）
内蒙古师范大学科研基金(QN06050)资助项目 （QN06050）
