电子器件2009，Vol.32Issue(3)：534-537,4.
SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析
Numerical Simulation and Analysis of SiGe HBT's Characteristic Parameters
王祖军 1刘书焕 2唐本奇 2陈伟 2黄绍艳 2肖志刚 2张勇 2刘敏波2
作者信息
- 1. 清华大学工程物理系,粒子技术与辐射成像教育部重点实验室,北京,100084
- 2. 西北核技术研究所,西安,710024
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摘要
关键词
SiGe HBT/电流增益/截止频率/掺杂浓度/数值模拟分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王祖军,刘书焕,唐本奇,陈伟,黄绍艳,肖志刚,张勇,刘敏波..SiGe HBT器件特征参数的数值模拟与分析[J].电子器件,2009,32(3):534-537,4.
