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硅粉在鞘区内的纯化速率模型

许淑慧 王敬义 冯信华 陈正强

华中科技大学学报(自然科学版)2006,Vol.34Issue(5):53-55,67,4.
华中科技大学学报(自然科学版)2006,Vol.34Issue(5):53-55,67,4.

硅粉在鞘区内的纯化速率模型

Purity rate model for Si particulates in the sheath

许淑慧 1王敬义 2冯信华 2陈正强1

作者信息

  • 1. 广西工学院,电子信息与控制工程系,广西,柳州,545006
  • 2. 华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
  • 折叠

摘要

关键词

离子刻蚀/等离子体纯化/阴极鞘层/硅粉粒

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

许淑慧,王敬义,冯信华,陈正强..硅粉在鞘区内的纯化速率模型[J].华中科技大学学报(自然科学版),2006,34(5):53-55,67,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(10265002). (10265002)

华中科技大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSCDCSTPCD

1671-4512

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