安徽大学学报（自然科学版）2008，Vol.32Issue(6)：53-55,68,4.
高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系
The relations among real efficient secondary electron emission coefficient at high energy, the incident angle of primary electron and depth
摘要
关键词
高能/金属/有效真二次电子发射系数/入射角度/逸出深度分类
数理科学引用本文复制引用
谢爱根,宋标,赵浩峰..高能有效真二次电子发射系数与逸出深度和入射角的关系[J].安徽大学学报（自然科学版）,2008,32(6):53-55,68,4.基金项目
南京信息工程大学科研基金资助项目(QD65) （QD65）
