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HgInTe晶片表面化学抛光研究

杨杨 王领航 介万奇 王亚彬 傅莉

人工晶体学报2009,Vol.38Issue(2):535-538,4.
人工晶体学报2009,Vol.38Issue(2):535-538,4.

HgInTe晶片表面化学抛光研究

Study on Surface Chemical Polishing of HgInTe Wafers

杨杨 1王领航 1介万奇 1王亚彬 1傅莉1

作者信息

  • 1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 折叠

摘要

关键词

HgInTe/化学抛光/腐蚀速率/表面粗糙度

分类

数理科学

引用本文复制引用

杨杨,王领航,介万奇,王亚彬,傅莉..HgInTe晶片表面化学抛光研究[J].人工晶体学报,2009,38(2):535-538,4.

基金项目

国家高技术研究发展计划(863)(No. 2007AA03Z442) (863)

西北工业大学博士创新基金(CX200606) (CX200606)

西北工业大学研究生种子基金(Z200612)资助项目 (Z200612)

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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