物理学报2009，Vol.58Issue(1)：536-540,5.
Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究
Temperature characteristics of AlGaN/GaN MOS-H EMT with A12O3 gate dielectric
摘要
关键词
原子层淀积/AlGaN/GaN/MOS-HEMT器件/温度特性分类
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刘林杰,岳远征,张进城,马晓华,董作典,郝跃..Al2O3绝缘栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件温度特性研究[J].物理学报,2009,58(1):536-540,5.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60736033,60676048)资助的课题. （批准号:60736033,60676048）
