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半导体学报
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非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量
非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量
黄庆安
史保华
顾英
张德胜
半导体学报
Issue(7)：538,1.
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半导体学报
Issue(7)
：538,1.
非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量
黄庆安
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史保华
1
顾英
1
张德胜
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衬底
/
掺杂
/
MOS电容
/
少子
/
产生寿命
分类
信息技术与安全科学
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黄庆安,史保华,顾英,张德胜..非均匀掺杂衬底MOS结构少子产生寿命的测量[J].半导体学报,1989,(7):538,1.
半导体学报
OA
CSCD
ISSN：
1674-4926
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