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GaN静态性质的LMTO第一原理计算

何国敏

量子电子学Issue(6)：538,1.
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量子电子学Issue(6)：538,1.

GaN静态性质的LMTO第一原理计算

何国敏1

作者信息

  • 1. 厦门大学物理系;厦门大学物理系
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摘要

关键词

宽禁带半导体/静态性质/氮化镓

分类

信息技术与安全科学

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何国敏..GaN静态性质的LMTO第一原理计算[J].量子电子学,1996,(6):538,1.

量子电子学

OA北大核心CSCD

1007-5461

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