半导体学报2008，Vol.29Issue(3)：539-543,5.
Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究
TEM Characterization of Defects in GaN/InGaN Multi-Quantum Wells Grown on Silicon by MOCVD
朱华 1李翠云 2莫春兰 2江风益 1张萌1
作者信息
- 1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047
- 2. 景德镇陶瓷学院机电学院,景德镇,333001
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摘要
关键词
MQW/Si衬底/位错/TEM/SEM分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
朱华,李翠云,莫春兰,江风益,张萌..Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究[J].半导体学报,2008,29(3):539-543,5.
