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用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究

邢启江 王舒民 王若鹏 陈娓兮 章蓓 赵沧桑 党小忠 虞丽生

半导体学报Issue(9)：540,1.
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半导体学报Issue(9)：540,1.

用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究

邢启江 1王舒民 1王若鹏 1陈娓兮 1章蓓 1赵沧桑 1党小忠 1虞丽生1

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邢启江,王舒民,王若鹏,陈娓兮,章蓓,赵沧桑,党小忠,虞丽生..用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究[J].半导体学报,1993,(9):540,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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