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立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制

杨杭生 谢英俊

物理学报2007,Vol.56Issue(9):5400-5407,8.
物理学报2007,Vol.56Issue(9):5400-5407,8.

立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制

Controlling the interfacial structure of cubic boron nitride thin film prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition

杨杭生 1谢英俊2

作者信息

  • 1. 浙江大学材料与化学工程学院,杭州,310027
  • 2. 浙江大学流体传动及控制国家重点实验室,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

立方氮化硼薄膜/等离子体化学气相生长/界面/电子显微镜

分类

数理科学

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杨杭生,谢英俊..立方氮化硼薄膜生长过程中的界面控制[J].物理学报,2007,56(9):5400-5407,8.

基金项目

浙江省自然科学基金(批准号:Y405051)和浙江省教育厅(批准号:20061365)资助的课题. (批准号:Y405051)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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