多晶硅与单晶硅的扩散比较OACSTPCD
Diffusion Comparative Research on Multicrystalline and Singlecrystalline Silicon
相同工艺下多晶硅和单晶硅的扩散结果区别非常明显,在扩散温度较低时,多晶硅扩散后的方块电阻大于相同条件下的扩散单晶硅;在扩散温度较高时,多晶硅扩散后的方块电阻小于单晶硅,文章从多晶硅的结构特点对此现象进行了解释.
杜忠明;刘祖明
云南师范大学太阳能研究所,云南,昆明,650092云南师范大学太阳能研究所,云南,昆明,650092
能源科技
单晶硅多晶硅扩散
《云南师范大学学报（自然科学版）》 2007 (1)
54-56,68,4
云南省科技厅省院省校合作资金资助项目(2003JAACA02A040).
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