半导体学报2000，Vol.21Issue(6)：548-553,6.
高质量立方相InGaN的生长
Growth of High Quality Cubic-Phase InGaN
李顺峰 1杨辉 1徐大鹏 1赵德刚 1孙小玲 1王玉田 1张书明1
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心,北京,100083
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摘要
关键词
InGaN/MOCVD生长/光致发光分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李顺峰,杨辉,徐大鹏,赵德刚,孙小玲,王玉田,张书明..高质量立方相InGaN的生长[J].半导体学报,2000,21(6):548-553,6.
