物理学报2006，Vol.55Issue(10)：5487-5493,7.
离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究
Broadband yellow luminescence in the photoluminescence spectra of n-GaN implanted by the different ions
张小东 1林德旭 2李公平 1尤伟 1张利民 1张宇 1刘正民1
作者信息
- 1. 兰州大学现代物理系,730000
- 2. 中国科学院高能物理研究所,100080
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张小东,林德旭,李公平,尤伟,张利民,张宇,刘正民..离子注入n型GaN光致发光谱中宽黄光发射带研究[J].物理学报,2006,55(10):5487-5493,7.
