半导体学报2008，Vol.29Issue(3)：554-558,5.
具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性
DC Characteristics of A1GaN/GaN HEMTs with a Field Plate Gate
摘要
关键词
AIGaN/GaN/高迁移率晶体管/肖特基特性/击穿电压/场板结构分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
魏珂,刘新宇,和致经,吴德馨..具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT的直流特性[J].半导体学报,2008,29(3):554-558,5.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903,G20000683)和中国科学院重点创新(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目 （批准号:2002CB311903,G20000683）
