|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

郭冬云 王耘波 于军 高俊雄 李美亚

物理学报2006，Vol.55Issue(10)：5551-5554,4.
✕
物理学报2006，Vol.55Issue(10)：5551-5554,4.

La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响

Effect of La doping on ferroelectric properties of Bi4Ti3O12 thin film

郭冬云 1王耘波 2于军 2高俊雄 2李美亚2

作者信息

  • 1. 武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072
  • 2. 华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074
  • 折叠

摘要

关键词

铁电性能/Bi4Ti3O12薄膜/Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜/sol-gel法/La掺杂

分类

矿业与冶金

引用本文复制引用

郭冬云,王耘波,于军,高俊雄,李美亚..La掺杂对Bi4Ti3O12薄膜铁电性能的影响[J].物理学报,2006,55(10):5551-5554,4.

基金项目

湖北省自然科学基金(批准号:2003ABA061,2004ABA082)资助的课题. （批准号:2003ABA061,2004ABA082）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量2
|
下载量0
段落导航相关论文