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LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究

裴丽 简水生

光通信研究Issue(2):55-58,4.
光通信研究Issue(2):55-58,4.

LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究

Research on the electrode design of LiNbO3 M-Z interference intensity modulator

裴丽 1简水生1

作者信息

  • 1. 北方交通大学光波所,北京,100044
  • 折叠

摘要

关键词

LiNbO3M-Z干涉仪式强度调制器/电极/优化设计

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

裴丽,简水生..LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究[J].光通信研究,2000,(2):55-58,4.

光通信研究

OA北大核心CSCD

1005-8788

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