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光通信研究
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LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究
LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究
裴丽
简水生
光通信研究
Issue(2):55-58,4.
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光通信研究
Issue(2)
:55-58,4.
LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究
Research on the electrode design of LiNbO3 M-Z interference intensity modulator
裴丽
1
简水生
1
作者信息
1.
北方交通大学光波所,北京,100044
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摘要
关键词
LiNbO3M-Z干涉仪式强度调制器
/
电极
/
优化设计
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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裴丽,简水生..LiNbO3 M-Z干涉仪式强度调制器电极设计研究[J].光通信研究,2000,(2):55-58,4.
光通信研究
OA
北大核心
CSCD
ISSN:
1005-8788
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