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基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

仇应华 王志功 朱恩 冯军 熊明珍 夏春晓

半导体学报2006,Vol.27Issue(3):556-559,4.
半导体学报2006,Vol.27Issue(3):556-559,4.

基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

A 36GHz Voltage Control Oscillator in GaAs PHEMT Technology

仇应华 1王志功 1朱恩 1冯军 1熊明珍 1夏春晓1

作者信息

  • 1. 东南大学射频与光电集成电路研究所,南京,210096
  • 折叠

摘要

关键词

压控振荡器/共面波导/容性耦合差动电流放大器/砷化镓

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

仇应华,王志功,朱恩,冯军,熊明珍,夏春晓..基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器[J].半导体学报,2006,27(3):556-559,4.

基金项目

国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:2003AA31G030) (批准号:2003AA31G030)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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