液晶与显示2009，Vol.24Issue(4)：557-561,5.
退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响
Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of ZnO-TFT
张新安 1张景文 2张伟风 2侯洵1
作者信息
- 1. 河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475004
- 2. 西安交通大学,陕西省信息光子技术重点实验室,陕西,西安,710049
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张新安,张景文,张伟风,侯洵..退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响[J].液晶与显示,2009,24(4):557-561,5.
