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半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

吴巨 何宏家 范缇文 王占国 张绵

半导体学报Issue(7)：558,1.
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半导体学报Issue(7)：558,1.

半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响

吴巨 1何宏家 2范缇文 3王占国 3张绵3

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所
  • 2. 电子部十三所
  • 折叠

摘要

关键词

砷化镓/衬底/位错/MESFETs/旁栅效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

吴巨,何宏家,范缇文,王占国,张绵..半绝缘GaAs衬底中位错对MESFETs旁栅效应的影响[J].半导体学报,1997,(7):558,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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