半导体学报2008，Vol.29Issue(3)：563-565,3.
刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响
Influence of Etching Depth on Characteristics of GaN/Si Blue LEDs
张萍 1刘军林 1郑畅达 1江风益1
作者信息
- 1. 南昌大学材料科学研究所教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047
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摘要
关键词
蓝光LED/GaN/Si衬底/快速老化/刻蚀/静电分类
数理科学引用本文复制引用
张萍,刘军林,郑畅达,江风益..刻蚀深度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响[J].半导体学报,2008,29(3):563-565,3.
